等离子清洗机对晶圆干式清洗

  晶圆加工时，由于污染物影响所导致的次品率，占据产额损失的50%以上。晶圆的生产过程首先是硅晶棒通过研磨、抛光、切片、镀膜后形成硅晶圆片，硅晶圆片再经过上光刻胶、光刻、离子注射、电镀、抛光、切片后形成单个晶圆片。这其中每个步骤，都有可能产生致命的污染。

  晶圆表面常见的污染分为金属污染、有机物污染以及颗粒污染。其中，金属污染会导致漏电流，因为金属与空气相结合生成的氧化物会降低电压，致使载流电子循环周期减少；有机物污染则会使晶圆表面亲水性降低，形成粘附于表面的疏水层，粗糙程度也随之增加，破坏外延层的生长结构，除此之外，有机污染物的存在还会影响金属污染物的清洗效果造成叠加污染；而颗粒污染会导致在蚀刻工艺中，产生阻塞或遮盖，同时在沉积过程中，产生针孔和微孔，如果颗粒直径较大或是具有导电性，还会导致线路短路。

  所以，对污染物的清洁是必须要面对的问题。晶圆的表面清洁分为湿法清洁和干式清洁，等离子清洗机就属于干式清洁。通常情况下，等离子清洗对于有机污染物的去除效率会更高，晶圆表面的有机污染物包括油脂、光刻胶、清洗溶剂等，其中尤其是对光刻胶的去除，使用等离子清洗技术具有较好的效果，这是由于光刻胶在强氧离子作用下，可迅速挥发成气态物质，从而达到去除的效果。对颗粒和金属污染物的去除，等离子清洗机可以通过物理和化学作用进行部分清洁，想要完全清洁，可以先通过等离子体来提高晶圆表面亲水性，促进双氧水对晶圆的清洗，从而使表面得到彻底的清洁。

  随着芯片越做越小，湿法工艺的干燥技术面临着越来越大的挑战，干式清洁的优势越来越凸显出来。其操作方便、效率高、安全无污染、质量稳定等优点,致使等离子清洗机被越来越多应用在半导体行业中。